以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，突破原有半導體材料在大功率、高頻、高速、高溫環(huán)境下的性能限制，在5G通信、物聯(lián)網(wǎng)、新能源、國防尖端武器裝備等前沿領(lǐng)域，發(fā)揮重要作用。在摩爾定律遇到瓶頸、中國智造2025的大背景下，寬禁帶半導體材料，無(wú)疑是中國半導體產(chǎn)業(yè)一次好機會(huì )！
新材料，“芯”未來(lái)！碳化硅芯片，取代傳統硅基芯片，可以有效提高工作效率、降低能量損耗，減少碳排放，提高系統可靠性，縮減體積、節約空間。